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・第59回応用物理学関係連合講演会
日付：2012年3月24日
会場：東京都新宿区，早稲田大学
1）
高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価
秩父重英，羽豆耕治，尾沼猛儀，上殿明良
2）
フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価
秩父重英，羽豆耕治，石川陽一，古澤健太郎，上殿明良
3）
Si添加Al0.6Ga0.4N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価
羽豆耕治，石川陽一，田代公則，三宅秀人，平松和政，上殿明良，秩父重英
・第67回日本物理学会年次大会
日付：2012年3月15日
会場：兵庫県西宮市，関西学院大学
1）
大気中湿度制御環境下における低速陽電子計測法の開発
大島永康，Wei Zhou，伊藤賢志，Zhe Chen，Brian
O'Rourke，黒田隆之助，鈴木良一，柳下宏，天神林和樹，筒井拓朗，上殿明良，林崎規託
・イノベーションつくば2012WS
日付：2012年2月23日
会場：放送大学東京文京学習センター，東京都文京区
1）
陽電子を用いた材料評価
上殿明良 | |
・京都大学原子炉実験所専門研究会
日付：2011年12月3日
会場：大阪府泉南郡 京都大学原子炉実験所
1）
陽電子プローブマイクロアナライザーと電子線後方散乱回析装置による延性破断した高純度鉄試験片の分析
筒井拓朗，上殿明良，天神林和樹，大島永康，鈴木良一，藤浪眞紀，打越雅仁，鈴木茂，一色実
2）
筑波大における低速陽電子ビーム短パルス化システムの開発現状
天神林和樹，筒井拓朗，上殿明良，大島永康
・薄膜第131委員会並びに半導体界面制御技術第154委員会 合同研究会
日付：2011年10月19日
会場：キャンパスイノベーションセンター(CIC)，東京都港区
1）
陽電子消滅による薄膜中の空孔型欠陥の計測
上殿明良
・IMEC セミナー
日付：2011年9月2日
会場：IMEC
Kapeldreef75, B-3001 Leuven, Belgium
1） Detection of
point defects in semiconductor device materials by
monoenergetic positron beams
A. Uedono
・The International Workshop on Ppsitron Studies
of Defects 2011
日付：2011年8月28日
会場：Delft
University of Technology, Delft, Netherlands
1） Defects
in GaN and froup-III nitrides studied by positron annihilation
technique
A. Uedono, S. Ishibashi, N. Oshima, T. Ohdaira,
and R. Suzuki
・文科省科学研究費補助金 特定領域研究最終成果報告 公開シンポジウム
日付：2011年8月3日
会場：東京都文京区 東京ガーデンパレス
1）
III族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミクスの研究
上殿明良，秩父重英，白石賢二，押山淳，内田和之
2）
ナイトライド半導体結晶中の転移の運動特性と電子・光学特性の解明
米永一郎，大野佑，徳本有紀，太子敏則，上殿明良
3）
ワイドバンドギャップ(Al,Ga)Nの時間分解分光測定
秩父重英，羽豆耕治，上殿明良
・Australian Nuclear Science and Technology
Organization (ANSTO), Bragg Institute
Seminar
日付：2011年7月21日
会場：Kirrawee DC NSW 2232,
Aurtralia
1） Characterization of semiconductor device
materials by means of positron annihilation technique
A.
Uedono
・SPIE Photonic West
2011
会期：2011年1月22日(土)〜27(木)
会場：The Moscone
Center, San Francisco, Califolnia, USA
1） Point defects
in GaN and related group-III nitrides studied by means of
positron annihilation
Univ. of Tsukuba1，AIST2，Tohoku
Univ.3
A. Uedono1，K. Akimoto1，S. Ishibashi2，S.F.
Chichibu3
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