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・応用物理学会 第11回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会
会期：2010年12月3日(金)～4日(土)
会場：名城大学
1）
低速陽電子ビームを用いた材料の空孔型欠陥検出と評価
筑波大数理1
上殿明良1
・平成22年
京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
会期：2010年11月26日(金)～27日(土)
会場：京都大学原子炉実験所
事務棟大会議室
1） 陽電子消滅法によるCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の欠陥評価
筑波大数理物質1，産総研太陽光発電2，産総研ナノシステム3
○天神林和樹1，窪田翔二1，渡邉宏理1，上殿明良1，M.M.
Islam1，秋元克洋1，仁木栄2，石橋章司3
2）
陽電子プローブマイクロアナライザ(PPMA)による塑性変形した高純度鉄試料中の欠陥分布評価
筑波大数理物質1，産総研2，千葉大院工3，東北大多元研4
○窪田翔二1，渡邉宏理1，天神林和樹1，上殿明良1，大島永康2，木野村淳2，大平俊行2，鈴木良一2，藤浪真紀3，打越雅仁4，
鈴木茂4
3）
低速陽電子ビームの大気取り出し技術の開発
筑波大数理物質1，産総研2，東工大原子炉研3
○渡邉宏理1，窪田翔二1，天神林和樹1，上殿明良1，大島永康2，ブライアン・オローク2，黒田隆之助2，鈴木良一2，林崎規託3
・第15回結晶工学セミナー「物理・化学分析の最先端技術を基礎から理解する‐究極の分析を目指して‐」
日付：2010年11月18日(木)
会場：学習院創立百周年記念会館3階
小講堂(東京都豊島区目白1-5-1)
1）陽電子消滅の基礎と最先端
筑波大学数理1
上殿明良1
・10th IEEE International Conference on Solid-State and
Integrated Circuit
Technology
会期：2010年11月1日(月)～4日(木)
会場：Shanghai，
China
1） Defect characterization of crystalline metal
oxides and high-k films by means of positron
annihilation
Inst, of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba,
Tsukuba, Japan
A. Uedono，S. Ishibashi，N. Oshima， T.
Ohdaira，R. Suzuki
・平成22年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
会期：2010年9月14日(火)～9月17日(金)
会場：長崎大学
文教キャンパス（長崎県長崎市文教町1-14）
1） 陽電子消滅法によるCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の欠陥評価
筑波大学数理1,産総研太陽光発電2,産総研ナノシステム3
○天神林和樹1，窪田翔二1，渡邉宏理1，上殿明良1，M.M.
Islam1，秋元克洋1，仁木栄2，石橋章司3
2）
陽電子消滅によるAlGaN中の欠陥評価
筑波大数理1，三重大工2，産総研ナノシステム3
○上殿明良1，三宅秀人2，平松和政2，石橋章司3
・12th International Workshop on Slow Positron
Beam
Technique
会期：2010年8月1日(日)～8月6日(金)
会場：Magnetic
Island， Australia
1） Application of positron
annihilation technique to front and backend processes for
modern LSI devices
Inst. of Appl. Phys., Univ of
Tsukuba1，Nanosys. Research Inst., AIST2，Research Inst. of
Instrumentation Frontier, AIST3
A. Uedono1，S. Ishibashi2，N.
Oshima3，T. Ohdaira3，and R.Suzuki3
・第15回電子デバイスにおける原子輸送・応力問題研究会
会期：2010年7月22日(木)～7月23日(金)
会場：ジャーマン・インダストリー・パーク
ジャーマンセンター内 ジャーマンホール(横浜市緑区白山1-8-2 白山ハイテクパーク)
1）
低速陽電子ビームを用いた配線構造中のLow-k膜及びCu配線の欠陥評価
筑波大学物工系1,STARC2,産総研計測フロンティア研究部門3
上殿明良1，井上尚也2，林喜宏2，江口和弘2，中村友二2，廣瀬幸範2，吉丸正樹2，大島永康3，大平俊行3，鈴木良一3
・2010IEEE International Interconnect Technology
Conference
会期：2010年6月6日(日)～9日(水)
会場：California，
USA
1） Damage characterization of low-k layers through
Cu damascene process using monoenergetic positron
beams
A. Uedono，N. Inoue，Y. Hayashi，K.
Eguchi，T. Nakamura，Y. Hirose，M. Yoshimaru，N. Oshima，T.
Ohdaira，R. Suzuki
Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Japan
・10th International Workshop on Junction
Technology
会期：2010年5月10日(月)～11(火)
会場：Shanghai
1）
Vacancy-type defects in ultra-shallow junctions fabricated
using plasma doping studied by positron
annihilation
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・平成21年
京都大学原子炉実験所専門研究会 「陽電子科学とその理工学への応用」
日時：2009年11月20日(金)～11月21日(土)
会場：京都大学原子炉実験所
事務棟大会議室
1）
陽電子プローブマイクロアナライザ(PPMA)を用いた純鉄試料の陽電子寿命イメージング測定
筑波大数理1，産総研2，千葉大院工3，東北大多元研4
○窪田翔二1，渡邉宏理1，上殿明良1，大島永康2，木野村淳日2，大平俊行2，鈴木良一2，藤浪真紀3，打越雅仁4，鈴木茂4
2）
低速陽電子ビームを用いた高分子膜表面近傍の自由体積評価
筑波大数理1，産総研2
○吉永幸弘1，上殿明良1，大平俊行2，鈴木良一2
3）
低速陽電子ビームを用いたプラズマBイオン注入Si中の欠陥検出
筑波大数理1，東工大総理工2,産総研3,(株)UJTラボ4，東工大フロンティア研5
○渡邉宏理1，上殿明良1，筒井一生2，石橋章司3，窪田翔二1，中川恭成2，水野文二4，服部健雄5，岩井洋5
・平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
会期：2009年 9月8日(火)～9月11日(金)
会場：富山大学(富山県富山市五福3190番地)
1）
陽電子消滅を用いたポリブチレンテレフタレート膜の自由体積評価
筑波大学数理1,産総研2
○吉永幸弘1，鈴木順也1，上殿明良1，大平俊行2，鈴木良一2
2）
低速陽電子ビームを用いたプラズマイオン注入Si中の空孔ホウ素複合体の検出
筑波大数理1，東工大総理工2,産総研3,(株)UJTラボ4，東工大フロンティア研5
○渡邉宏理1，上殿明良1，筒井一生2，石橋章司3，
窪田翔二1，中川恭成2，水野文二4，服部健雄5，岩井洋5
3）
陽電子消滅を用いたAlNの点欠陥と光学特性の研究
筑波大数理1，東北大多元研2，産総研3，UCSB4
○窪田翔二1，渡邉宏理1，上殿明良1，尾沼猛儀2，秩父重英2，石橋章司3，S. Keller4，C.
Moe4，P. Cantu4，T.M. Katona4，
D.S. Kamber4，U.K.
Mishra4，中村修二4 | |
・平成20年
京都大学原子炉実験所専門研究会 「陽電子科学とその理工学への応用」
日付：2008年12月5日(金)～12月6日(土)
会場：京都大学原子炉実験所
事務棟大会議室
1）
低速陽電子ビームを用いたErドープGaNの点欠陥の検出
筑波大数理1，産総研2
○中森寛人1，上殿明良1，陣少強1，徐宋源1，秋本克洋1，富田成夫1，工藤博1，石橋章司2
2）
陽電子消滅を用いたSrTiO3及びTiO2単結晶の空孔型欠陥の評価
筑波大数理1，物材研2
○成田幸輝1，鈴木順也1，袁国亮1，上殿明良1，知京豊裕2，今井基晴2
3）
加速器陽電子源を用いた陽電子プローブマイクロアナライザーの現状
筑波大学数理1,産総研2,千葉大院工3
○鳴海貴允1，2，大島永康2，鈴木良一2，大平俊行2，木野村淳2，上殿明良1，藤浪真紀3
4）
陽電子消滅法用いたMgドープInNの点欠陥の研究
筑波大数理1，JST
CREST2，千葉大院工3，産総研4
○鈴木順也1，中森寛人1，成田幸輝1，上殿明良1，王新強2，崔成伯2，3，石谷善博2，3，吉川明彦2，3，石橋章司4
・International Conference on Solid State Device and
Materials (SSDM 2008)
Date : September 23-26,
2008
Place : Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL
TSUKUBA)
The 40th Anniversary Technical Seminar
1）
Charactarization of Point Defects in Device Materials by means
of Positron Annihilation
Akira Uedono
Institute of
Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki
305-8573, Japan
・平成20年秋季 第69回応用物理学関係連合講演会
会期：平成20年 9月2日(火)～9月5日(金)
会場：中部大学(愛知県春日井市松本町1200)
1）
陽電子プローブマイクロアナライザー(PPMA)を用いた二次元イメージング測定
筑波大学数理1,産総研2,千葉大院工3
○鳴海貴允1，2，大島永康2，鈴木良一2，大平俊行2，木野村淳2，上殿明良1，藤浪真紀3
2）
陽電子消滅法を用いたMgドープInNの点欠陥の研究
筑波大数理1，JST
CREST2，千葉大院工3，産総研4
○鈴木順也1，中森寛人1，成田幸輝1，上殿明良1，王新強2，崔成伯2，3，石谷善博2，3，吉川明彦2，3，石橋章司4
・特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア
－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム
会期：平成20年 8月1日(金)～8月2日(土)
会場：学士会館(東京都千代田区神田錦町3-28)
1）
陽電子を用いたⅢ族窒化物半導体の点欠陥の研究
筑波大1，東北大2，東大3
○上殿明良1，秩父重英2，白石賢二1，押山淳3
2）
Ⅲ族窒化物半導体のカチオン空孔とGdの協奏的強磁性の可能性
東大1，筑波大2
○合田義弘1，押山淳1，上殿明良2
3）
点欠陥がAlN薄膜の発光特性に与える影響
東北大1，筑波大2
○秩父重英1，小山享宏1,2，菅原茉莉子2，星拓也1,2，尾沼猛儀1,2，上殿明良2
・平成20年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
会期：平成20年 3月27日(木)～3月30日(日)
会場：日本大学理工学部
船橋キャンパス(千葉県船橋市習志野台7-24-1)
1）
低速陽電子ビームを用いたMgドープInNの点欠陥の検出
筑波大1，立命館大2，産総研3
○成田幸輝1，中森寛人1，伊東健一1，上殿明良1，武藤大祐2，荒木努2，名西やすし2，石橋章司3
2）
低速陽電子ビームを用いたErドープGaNの点欠陥の検出
筑波大数理1，産総研2
○中森寛人1，伊東健一1，本多典宏1，上殿明良1，陣少強1，徐宋源1，秋本克洋1，富田成夫1，工藤博1，石橋章司2
3）
陽電子プローブマイクロアナライザーの開発と二次元イメージング
筑波大学数理1,産総研2,千葉大院工3
○鳴海貴允1,2,大島永康2,鈴木良一2,大平俊行2,木野村淳2,上殿明良1,藤浪真紀3
・筑波大学先端研究施設共用イノベーション創出事業【産業戦略利用】セミナー
「新たな産業を拓く高速イオンビーム」
日付：2008年3月26日(水)
場所：秋葉原コンベンションホール(ダイビル)
5階カンファレンスフロア 5C
1）
低速陽電子ビームを用いたErドープGaNの点欠陥の検出究
筑波大学数理1
上殿明良1
・高度制御量子ビームによる応用研究の創出 －2007年度
UTTACの最新研究成果と動向－
日付：2008年3月17日(月)
場所：筑波大学総合研究棟B 1階
公開講義室0110
1）
低速陽電子ビームを用いたErドープGaNの点欠陥の検出究
筑波大学数理1
上殿明良1
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