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平成19年度 東北大学金属材料研究所ワークショップ
「酸化亜鉛半導体テクノロジーの進歩」
日時：2007年12月20日(木)～21日(金)
場所：東北大学多元物質科学研究所
1）
陽電子消滅による金属酸化物の点欠陥導入機構の研究
筑波大学数理1
上殿明良1
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京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
日時：2007年11月16日(金)14時～17日(土)17時頃
場所：京都大学原子炉実験所
事務棟大会議室
1）
陽電子プローブマイクロアナライザーの開発の現状
筑波大学数理1,産総研2,千葉大院工3
鳴海貴允1,2,大島永康2,鈴木良一2,大平俊行2,木野村淳2,上殿明良1,藤浪真紀3
・ 212th ECS Meeting
Date : October 7 - October 12,
2007
Place : Hilton Washington
E4 - High Dielectric
Constant Materials and Gate Stack 5
Physical/Chemical
Characterization
1） Vacancy-Type Defects in MOSFETs
with High-k Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron
Beams
A. Uedono1, K. Shiraishi1, K. Yamabe1, S. Inumiya2,
Y. Akasaka2, S. Kamiyama2, T. Matsuki2, T. Aoyama2, Y. Nara2,
S. Miyazaki3, H. Watanabe4, N. Umezawa5, T. Chikyow5, S.
Ishibashi6, T. Ohdaira6, R. Suzuki6 and K.
Yamada7
1University of Tsukuba, 2Selete，3Hiroshima
University，4Osaka University，5NIMS，6AIST，7Waseda
University
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第17回池谷コンファレンス 堂山シンポジウム「人類を救う材料の夢と創造と実現」
日時：2007年9月5日(水)～8日(金)
場所：東京大学 弥生講堂・一条ホール
1）
Vacancy-type defects in materials for modern LSI devices
studied using positron annihilation
technique
筑波大学数理1,産総研2
上殿明良1,大平俊行2,鈴木良一2,石橋章司2
・
平成19秋季 第68回応用物理学関係連合講演会
会期：平成19年 9月4日（火）～9月8日（金）
会場：北海道工業大学 （北海道札幌市手稲区前田７条15-4-1）
1）
陽電子消滅法を用いたSrTiO3及びTiO2単結晶の欠陥評価
筑波大1，物材研2
○成田幸輝1，上殿明良1，知京豊裕2，今井基晴2
2）
単色陽電子ビームによる金属ゲート形成により絶縁膜へ導入された欠陥の検出
筑波大数理1，Selete2，早大ナノテク研3
○鳴海貴允1，上殿明良1，染谷 満1，杉村聡太郎1，山部紀久夫1，松木武雄2，渡辺俊成2，三浦崇義2，栄森貴尚2，山田啓作3
3）
低速陽電子ビームを用いたイオン注入GaNの欠陥評価-I
筑波大数理物質1，豊田中研2，産総研3
○中森寛人1，伊東健一1，上殿明良1，中野由崇2，加地 徹2，大平俊行3，鈴木良一3，石橋章司3
4）
低速陽電子ビームを用いたイオン注入GaNの欠陥評価-II
筑波大数理物質1，豊田中研2，産総研3
○伊東健一1，中森寛人1，上殿明良1，中野由崇2，加地 徹2，大平俊行3，鈴木良一3，石橋章司3
5）
陽電子消滅を用いた窒化物光半導体の空孔型欠陥の検出
筑波大数理物質1，東北大多元物質科学研2
○上殿明良1，秩父重英2
・
平成19春季 第54回応用物理学関係連合講演会
会期：平成19年 3月27日（火）～3月30日（金）
会場：青山学院大学 相模原キャンパス（神奈川県相模原市淵野辺5-10-1）
1）
低速陽電子ビームを用いためっきCuおよびPVD-Cu膜の空孔型欠陥の検出
筑波大数理物質1，東芝セミコンダクター社2，産総研3
○上殿明良1，伊東健一1，今水健太郎2，蜂谷貴世2，上條浩幸2，蓮沼正彦2，金子尚史2，豊田 啓2，大平俊行3，鈴木良一3
2）
低速陽電子ビームによるSiN膜の自由体積の評価
筑波大数理1，ルネサス2，産総研3
○（M）伊東健一1，大塚 崇1，上殿明良1，宮河義弘2，村田龍紀2，服部信美2，松浦正純2，浅井孝祐2，大平俊行3，鈴木良一3
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京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
日時：2006年11月17日(金)13時頃～18日(土)16時頃
1）
低速陽電子ビームを用いた薄膜透過実験
筑波大学数理1,東京工業大学理工2,千葉大学工3,AIST4,日本電子5,KEK6,NIMS7,帝京科学大学8
伊東健一1,大塚崇1,上殿明良1,阿多誠介2,扇澤敏明2,藤浪眞紀3,鈴木良一4,大平俊行4,小林慶規4,松谷幸5,栗原俊一6,赤羽隆史7,堂山昌男8
・
平成18年秋季 第67回応用物理学関係連合講演会
会期：平成18年 8月29日（火）～9月1日（金）
会場：立命館大学びわこ・くさつキャンパス（滋賀県草津市野路東1-1-1）
1）
低速陽電子ビームを用いたF注入HfSiON/SiのF-空孔集合体の検出
筑波大数理物質1，Selete2，広島大院先端研3，産総研4，早大ナノテク研5
上殿明良1，犬宮誠治2，大塚 崇1，
伊東健一1，宮崎誠一3，奈良安雄2，大平俊行4，鈴木良一4，石橋章司4，山田啓作5
2）
低速陽電子ビームを用いた歪みSiN薄膜の自由体積評価
筑波大数理物質1，東京エレクトロン2，産総研3
伊東健一1，大塚 崇1，上殿明良1，山部紀久夫1，鴻野真之2，
守屋 剛2，西田辰夫2，奥村信夫2，中西敏雄2，有門経敏2，
大平俊之3，鈴木良一3
・ 第43回 アイソトープ・放射線
研究発表会
日時：2006年7月5日(水) ～ 7月7日(金)
場所：日本青年会館
講演題目：低速陽電子ビームを用いた陽電子の薄膜透過実験
筑波大学数理1,東京工業大学理工2,千葉大学工3,AIST4,日本電子5,KEK6,NIMS7,帝京科学大学8
伊東健一1,大塚崇1,上殿明良1,阿多誠介2,扇澤敏明2,藤浪眞紀3,鈴木良一4,大平俊行4,小林慶規4,松谷幸5,栗原俊一6,赤羽隆史7,
堂山昌男8
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技研談話会
日時：2005年2月26日
場所：明治大学理工学部 神奈川県川崎市多摩区東三田1-1-1
講演題目：低速陽電子ビームを用いた欠陥検出とその半導体デバイスへの応用
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平成17年春季 第52回応用物理学関係連合講演会
会期：平成17年 3月29日（火）～4月1日（金）
会場：埼玉大学（埼玉県さいたま市桜区下大久保255）
1）
低速陽電子ビームによるHfSiOxおよびHfAlOx薄膜の評価
筑波大数理物質1，NIMS2，広島大院先端研3，産総研4，Selete5，早大ナノテク研6
上殿明良1,2，後藤正和1，樋口恵一1，池内恒平1，白石賢二1,2，山部紀久夫1,2，宮崎誠一3，村松誠4，大平俊行4，鈴木良一4，A.S.A.
Hamid2，知京豊裕2，鳥居和功5，山田啓作2,6
2） Correlations between
dielectric characteristics and defects proved by positron
annihilation evaluation for the metal-deposited thin SiO2
films
筑波大・学際物質科学研究センター(TIMS)1，筑波大・電子・物理工2,(株)半導体先端テクノロジーズ3
邱徳威1、田辺正明2、上殿明良2、赤坂泰志3、蓮沼隆1,2、山部紀久夫1,2
3）
高融点金属および高融点金属窒化物ゲート電極のHigh-k トランジスタ適用検討
Selete1，筑波大2,
物材機構3, 早稲田大4
赤坂泰志1, 宮川一弘1A, 刈谷淳1B, 庄司秀行1B, 青山知憲1C, 久米聡1D,
繁田幹也1E, 小川修1, 白石賢二2,3, 上殿明良2,3, 山部紀久夫2,3, 知京豊裕3, 中島清美3,
安平光雄1F, 山田啓作4,3, 有門経敏1G
4） レーザMBE 成長ZnO
薄膜の欠陥制御による高品質化(I)
筑波大・数理物質科学研究科&21COE1, 科技機構創造2,
理研PDC3, 東北大金研4, 早大理工5, 物・材機構6
秩父重英1-3, 塚崎敦4, 尾沼猛儀1,2, 大友明4,
宗田孝之5, 上殿明良1,6, 川崎雅司4,6
5） レーザMBE 成長ZnO
薄膜の欠陥制御による高品質化(II)
筑波大・数理物質科学研究科&21COE1, 東北大金研2,
科技機構創造3, 早大理工4, 物・材機構5, 理研PDC6
久保田将司1, 塚崎敦2, 尾沼猛儀1,3, 大友明2,
宗田孝之4, 上殿明良1,5, 川崎雅司2,5,
秩父重英1,3,6
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