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・
結晶工学分科会
日時：2004年4月23日
場所：学習院創立百周年記念会館３F小講堂
III族窒化物との類似点と相違点 ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル
秩父重英，上殿明良，宗田孝之，川崎雅司
・ 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
(SDM)
日時：2004年6月21,２２日
場所：機械振興会館
HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOS
キャパシタの過渡的電気特性
樋口恵一1)、後藤正和1)、鳥居和功3)、上殿明良1)、蓮沼隆1,2)、山部紀久夫1,2)
1)筑波大学電子・物理工学専攻
〒305-8573
つくば市天王台1-1-1
2)筑波大学学際物質科学研究センター
3)半導体先端テクノロジーズ
・ IEEE International Interconnect Technology
Conference
日時：2004年7月7-9日
場所：San Francisco
Direct
observation of vacancy defects in electroplated Cu films
T.
Suzuki, A.Uedono1), T. Nakamura, Y. Mizushima, H. Kitada and
Y. Koura2)
Fujitsu Laboratories Ltd. Akiruno Technology
Center 50 Fuchigami, Akiruno, Tokyo, 197-0833,
Japan
1)Institute of Applied Physics, University of
Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan
2)Fujitsu Ltd.
Akiruno Technology Center 50 Fuchigami, Akiruno, Tokyo,
197-0833, Japan
・
LSI配線における原子輸送および応力問題研究会
日時：2004年7月15-16日
場所：東京工業大学
めっきCu中の欠陥の陽電子消滅評価
富士通研 鈴木貴志、中村友二、水島賢子、北田秀樹
筑波大学 上殿明良、富士通 小浦由美子
・ International Conference on Molecular Beam Epitaxy
日時：2004年8月22-27日
場所：Edinburgh
Effect of atomic
hydrogen on the growth of GaInNAs thin films by RF-MBE
Yoshitaka Okada, Yukiko Shimizu, Naoto Kobayashi, and
Akira Uedono
Institute of Applied Physics, University of
Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba 305-8573, Japan
・
平成17年秋季 第65回応用物理学会学術講演会
日時：2004年9月1日
場所：東北学院大学（仙台）
1）GaN中の非輻射再結合中心密度と点欠陥密度の相関関係
筑波大院･数物科研/COE1
科技機構創造2 理研PDC3 UCSB4 静大工5 産総研6
早大理工7
秩父重英1-3,尾沼猛儀2,B.Haskell4,杉山睦1,角谷正友5,奥村元6,宗田孝之7, J.Speck2,4,S.DenBaars,中村修二2,4,上殿明良1
2）原子状水素援用MBE法により作製したGa(In)NAs
薄膜中の空孔型欠陥評価
筑波大学大学院数理物質科学研究科
清水由紀子、小林直人、上殿明良、岡田至崇
3）低速陽電子ビームによるInN
膜中の空孔型欠陥の検出
筑波大数理物質科学研究科1/COE2，情報通信研究機構3
上殿明良1，東脇正高3，松井敏明3，秩父重英1,2
4）
低速陽電子を用いた高品質ＣＶＤダイヤモンドの物性評価 II
産総研-ダイヤモンド研究センター1、CREST
科学技術振興事業団2、筑波大学数理物質科学研究科3
山崎聡1,2，加藤宙光1,2，二子渉1,2，上殿明良3，竹内大輔1,2，渡辺幸志1,2，小倉政彦1,2，大串秀世1,2
5）
筑波大・学際物質科学研究センター(TIMS)1，筑波大・物理工2
邱徳威1、田辺正明1、上殿明良2、蓮沼隆1、山部紀久夫1,2
6）
下地SiON膜と超高真空中での被着Alとの反応
筑波大・物理工1，筑波大・学際物質科学研究センター(TIMS)2
田辺正明1，邱徳威2，後藤正和1，上殿明良1，蓮沼隆1,2，山部紀久夫1,2
7）
低速陽電子ビームによる歪Si
基板の空孔型欠陥の検出
筑波大数理物質科学研究科1，ルネサステクノロジ2，産総研3
上殿明良1，服部信美2，成岡英樹2，石橋章司3，鈴木良一3，大平俊行3
・
スターク技術移転セミナー
日時：2004年11月15日
場所：STARC ６F 大会議室
・
京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
日時：2004年11月26日(金)13時頃〜27日(土)16時頃
1）
Na-22を陽電子源に用いる短パルス低速陽電子ビーム寿命測定装置の開発(I)
大平俊行、村松誠、鈴木良一、平田浩一、小林慶規(産総研)、上殿明良(筑波大)、高輪正夫、橋本直樹(フジインバック)
2）
Experimental and theoretical study of the defects structure of
the perovskite oxide SrTiO3
Alaa S Hamid(NIMS) and Akira
Uedono (Tsukuba Univ.)
3）
低速陽電子ビームを用いたAl2O3薄膜によるSrTiO3の酸素拡散ブロック効果の評価
上殿明良(筑波大、NIMS)、アブドル・ハミド・アラー・サラー(NIMS)、清原正寛、安井信之(筑波大)、山部紀久夫(筑波大、NIMS)
4）
高エネルギー加速器研究機構低速陽電子実験施設の現状
上殿明良(筑波大、NIMS)
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◎ 2003年5月25〜30日
The Fifth
International Conferece on Nitride Semiconductors (ICNS-5)
Nara-Ken New Public Hall Nara, Japan
・ Mo-P1.088
Vacancy-type defects in Eu- and
Tb-doped GaN grown by gas-source MBE
probed
usingmonoenergetic positron beam
A. Uedono, H. Bang, K.
Horibe, S. Morishima*, and A. Akimoto
Institute of Applied
Physics and Graduate School of Pure and Applied Sciences,
・ Mo-P1.089
Vacancy-type defects in GaN
grown along different polar directions by MOVPE
probed
using monoenergetic positron beams
A. Uedono1, SF.
Chichibu1, M. Sumiya2, R. Suzuki3, T. Ohdaira3,
T.
Mikado3, and T. Mukai4
1University of Tsukuba, Tsukuba,
Ibaraki 305-8573, Japan
2Department of Electrical and
Electronic Engineering,
Shizuoka University, 3-5-1 Johoku,
Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan
3National Institute of
Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
Central
2,1-1-1, Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan
4Nichia
Corporation, Nitride Semiconductor Research Laboratory,
491
Oka, Kaminaka, Anan, Tokushima 774-8601, Japan
◎ 2003年8月30日〜9月2日 第64回応用物理学会学術連合講演会 福岡大学
・ 6.2 カーボン系薄膜
31p-Y-6
低速陽電子を用いた高品質CVDダイヤモンドの物性評価
産総研ダイヤモンド研究センター1，CREST科学技術振興事業団2，
筑波大学物質工学系3 ○二子渉1,2，上殿明良3，加藤宙光1,2，
渡辺幸志1,2，小倉政彦1,2，山崎聡1,2，大串秀世1,2
・ 11.3 絶縁膜技術
極薄熱酸化膜状に形成したHfO2〜Al2O3縦方向組成傾斜膜の構造観察と
電気的特性評価
東工大総理工1，東工大応セラ研2，物質・材料研究機構3，筑波大物理工学系4，
早稲田ナノテク5，科技団戦略6 ○田森妙1，長谷川顕2，青山登代美2，
中島清美3，アハメトパールハット3，阿部英司3，上殿明良4，知京豊裕3,6，
山田啓作5，外村彰1，鯉沼秀臣2,3,6
30p-YL-9
イットリア添加によるハフニウムアルミネート膜中の欠陥の減少
東工大応セラ研1，物質・材料研究機構2，筑波大物理工3，早大ナノテク研4，
科技団戦略5 ○長谷川顕1，田森妙1，アハメトパールハット2，上殿明良3，
山田啓作4，知京豊裕2，鯉沼秀臣1,5
30p-P2-6
低速陽電子ビームによるHfAlOx薄膜の欠陥のPDA依存性評価
筑波大物理工1，Selete2，早大ナノテク研3，産総研4 ○上殿明良1，
三橋理一郎2堀内淳2，鳥居和功2，山田啓作3，鈴木良一4，
大平俊行4，三角智久4
30p-P2-10
低速陽電子ビームによるpoly-Si/HfSiOx/Si構造の空孔型欠陥の検出
筑波大学1，STARC2，産総研3 ○上殿明良1，服部信美2，小椋厚志2，工藤淳2，
西川哲2，大平俊行3，鈴木良一3，三角智久3
・ 13.2 II-VI族結晶
31p-B-10
Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の光学特性
筑波大物理工1，理研PDC2，物質・材料研究機構3，東工大応セラ研4，
科技団戦略5，早大理工6，東北大金研7，COMET8 ○尾沼猛儀1，秩父重英1,2，
上殿明良1，YooY.-Z.3，知京豊裕3,4,5，宗田孝之6，川崎雅司7,8，鯉沼秀臣4,5,8
31p-B-13
無極性(11-20)ZnOエピタキシャル薄膜の光学特性
筑波大物理工1，科技団創造2，理研PDC3，東北大金研4，早大理工5，COMET6
○鯉田崇2，秩父重英1,2,3，上殿明良1，塚崎敦4，宗田孝之5，川崎雅司4,6
AlxGa1-xN混晶薄膜の発光寿命支配要因
筑波大物理工1，科技団創造2，理研PDC3，UCSB4，早大理工5
○秩父重英1,2,3，上殿明良1，尾沼猛儀1，P.Cantu4，T.Katona4，
J.F.Keading4，S.Keller4，鯉田崇2，宗田孝之5，中村修二2,4，
S.P.DenBaars4，U.K.Mishra4
◎ 2003年春季
第50回応用物理学関係連合講演会 神奈川大学横浜キャンパス
・ 11.3 絶縁膜技術
陽電子消滅によるCeO2/SrTiO3の空孔型欠陥の研究
上殿明良，下山和男*，清原正寛，松永祐輔，堀部謙太郎，山部紀久夫
筑波大物理工，TARA ,*現：富士電機総研
Automatic Feeding
Epitaxyにより成長したAl2O3の酸素拡散ブロック効果
清原正寛, 田辺正明, 安井信之, 上殿明良,
山部紀久夫
筑波大物理工，TARA
・ 13.4 III-V族窒化物結晶
上殿明良，方 炯軫，堀部謙太郎，松永祐輔，森島進一，秋本克洋
筑波大物理工
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◎ 原子力基盤技術クロスオーバー研究会
2002年8月8-9日 日本原子力研究所高崎研究所
低速陽電子ビームによるイオン注入Siの水素-空孔複合体の検出
上殿明良1，森俊樹1，森澤邦友1，村上浩一1,2，大平俊行3，鈴木良一3，
三角智久3，石岡邦江4，北島正弘4,2，菱田俊一4
筑波大物理工1，特プロ”ナノサイエンス”2，産総研3，物質・材料研究機構4
◎ 秋季 第63回応用物理学関係連合講演会
2002年9月24日〜9月27日 新潟大学
6.1 強誘電体薄膜
陽電子消滅測定によるSrTiO3の酸素欠損の研究
上殿明良，下山和男**，清原正寛，山部紀久夫，大平俊行*，鈴木良一*，
三角智久*筑波大物理工，TARA，産総研*
，**現：富士電機総研
無酸素雰囲気中でのSrTiO3基板上への酸化物薄膜の成長
清原正寛 下山和男*
安井信之 上殿明良 山部紀久夫
筑波大物理工，TARA，*現：富士電機総研
・ 13.2 II-VI族エピタキシャル結晶
低速陽電子ビームによるZnOの空孔型欠陥の検出
上殿明良1，鯉田崇1,2，塚崎敦3，秩父重英1,2,4，宗田孝之5，
瀬川勇三郎4，鯉沼秀臣6,7，川崎雅司3,7
筑波大物理工1，科技団ERATO2，東北大金研3，理研PDC4，
早大理工5，東工大応セラ研6，COMET7
ZnOバルク単結晶及びエピタキシャル薄膜の発光特性比較
鯉田崇1,2,
秩父重英1,2,3, 塚崎敦4,上殿明良1, 宗田孝之5,
瀬川勇三郎3, 鯉沼秀臣6,7,
川崎雅司4,7
筑波大物理工1, 科技団ERATO2, 理研PDC3, 東北大金研4,
早大理工5,
東工大応セラ研6,
COMET7
・ 13.7 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥
低速陽電子ビームによるイオン注入Siの水素-空孔複合体の検出
上殿明良1，森俊樹1，森澤邦友1，村上浩一1,2，大平俊行3，鈴木良一3，
三角智久3，石岡邦江4，北島正弘4,2，菱田俊一4
筑波大物理工1，特プロ”ナノサイエンス”2，産総研3，物質・材料研究機構4
水素原子処理とラマン散乱分光を用いた多原子空孔の検出
筑波大物理工1，筑波大特プロ“ナノサイエンス”2,
物質・材料研究機構3,
産総研4： ○森俊樹1，森澤邦友1，
上殿明良1, 大塚晃一1,
石岡邦江3，北島正弘2,3，菱田俊一3，大平俊行4，
鈴木良一4，三角智久4，村上浩一1,2
◎ 広島大学ナノデバイスシステム研究センター講演会
2002年3月6日
ナノデバイス・システム研究センタ
陽電子消滅を用いた金属酸化物の欠陥（酸素ノンストイキオメトリと空孔型欠陥）
上殿明良
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