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| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 陽電子マイクロプローブとその応用 |
大島永康，鈴木良一，上殿明良 |
放射線と産業 139, 9-12 |
| 陽電子消滅による半導体デバイス材料中の空孔型欠陥の評価 |
上殿明良 |
応用物理 84, 402-408 |
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| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 低速エネルギー可変陽電子ビームによるInxGa1-xN薄膜の空孔型欠陥の評価 |
上殿明良，角谷正友，石橋章司，大島永康，鈴木良一良 |
陽電子科学 3, 3-9 |
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| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 陽電子消滅による高分子フィルムの自由体積の評価 |
上殿明良 |
日本包装学会誌 22, 5-13 |
| III-V族窒化物太陽電池 |
角谷正友，L. Sang，中野由崇，上殿明良 |
未来材料 12, 15-20 |
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| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 陽電子消滅による材料評価 |
上殿明良 |
応用物理 79, 307-311
(2010). | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
III族窒化物半導体 (Al,Ga)N における発光特性と点欠陥の相関関係
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秩父重英，上殿明良 |
日本結晶成長学会誌 36, 166-177 (2009). |
| 陽電子消滅による窒化物半導体の点欠陥の評価 |
上殿明良，石橋章司，大島永康，大平俊行，鈴木良一 |
日本結晶成長学会誌 36, 155-165
(2009).
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| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 高強度陽電子ビームを利用した陽電子プローブマイクロアナライザーの開発 |
大島永康，鈴木良一，大平俊行，木野村淳，鳴海貴允，上殿明良，藤浪真紀 |
放射科学 85, 39-44 (2008). | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 陽電子消滅を用いた材料中の空孔型欠陥の評価 |
上殿明良，大塚崇，伊東健一，森和照，鈴木良一，大平俊行，石橋章司 |
放射線と産業 112, 26-30 (2006). | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 陽電子による先端半導体材料の評価 |
上殿明良，鈴木良一，大平俊行，石橋章司 |
応用物理 74, 1223-1226 (2005). |
| 低速用電子ビームを用いたhigh-k膜の空隙評価 |
上殿明良，後藤正和，樋口恵一，池内恒平，Abudul Hamid Alaa
Salaa，山部紀久夫，白石賢二，知京豊裕，山田啓作，北島洋，三橋理一郎，堀内淳，鳥居和功，有門経敏，鈴木良一，大平俊行 |
表面科学 26, 268-273
(2005). | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 |
大島武，伊藤久義，上殿明良，鈴木良一，石田夕起，高橋徹夫，吉川正人，児島一聡，大平俊之，梨山勇，谷川庄一郎，奥村元，吉田貞史，三角智久，岡田漱平 |
電子技術総合研究所彙報 62, 31-38
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| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作 |
森和照，上殿明良，谷川庄一郎，中居克彦 |
Radioisotopes 47,
623-627 | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
まてりあ 35,
140-146 | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 陽電子消滅による高分子材料評価 |
上殿明良，河野孝央，谷川庄一郎，伴めぐみ，京藤倫久 |
住友電気 147, 168-173 |
| 陽電子消滅による高分子材料の評価 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
高分子 44, 136-140 |
| 低速陽電子によるSiO2膜の評価 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
応用物理 64,
43-46 | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 半導体の欠陥研究 |
上殿明良 |
Radioisotopes 41, 600-610 |
| 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用 |
上殿明良，河野孝央，谷川庄一郎 |
Radioisotopes 41, 570-573 |
| 低速用電子ビームの発生 |
谷川庄一郎，上殿明良，鈴木良一 |
Radioisotopes 41, 536-542 |
| ドップラー拡がり測定と寿命測定
| 上殿明良 |
Radioisotopes 41, 474-482 |
| ポジトロン消滅と材料の解析 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
表面 30, 588-597 |
| ミクロなプローブとして用いた低速陽電子 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
センサ技術 12, 50-54 |
| 陽電子消滅誘起オージェ電子分光 |
上殿明良 |
化学と工業 45, 989-990 |
| 淡色陽電子線による表面・界面近傍の格子欠陥の検出 |
谷川庄一郎，上殿明良 |
放射線 18, 83-98 |
| 筑波大学における放射線同位元素を用いた低速陽電子線発生装置
| 上殿明良，谷川庄一郎 |
放射線 18, 41-54 | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 陽電子消滅法による材料表面の解析 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
表面科学 11, 598-603 |
| 表面・界面プローブとしての低速陽電子 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
表面技術 41,
355-360 | | |
| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| 単色陽電子線による半導体の表面・界面近傍の欠陥評価 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
応用物理 58, 918-923
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| Title |
Auther |
Journal/Vol. |
| Defect Creation Caused by Ion Implantation and
Activation Behavior by Rapid Thermal Annealing on
Semiconducting Materials |
J.-L. Lee, K.-H. Shin, J.S. Kim, H.M. Park, D.S. Ma,
S. Tanigawa and A. Uedono |
J. Korean Int. of Telematic and Electronics 25,
1447-1457 |
| 単色陽電子線を用いたイオン注入に伴う格子欠陥分布の検出 |
上殿明良，谷川庄一郎 |
Ionics 153, 1-11 |
| 単一エネルギー低速用電子を用いた表面解析装置
| 上殿明良，谷川庄一郎 |
Radioisotopes 37, 217-220
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