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・Siベース半導体の欠陥評価
　　<ガスクラスターイオン注入Si>
　　ガスクラスターイオン注入は，原子の塊（クラスター）をイオン化させて高速で固体表面に衝突させる表面加工技術です．単原子イオン注入とは異なる効果が得られ，極浅イオン注入や高効率スパッタリングなどの高速・高精度ナノ加工技術として期待されています．しかし，ガスクラスターイオン注入による欠陥の導入過程については知見が得られていません．
　　そこで空孔型欠陥の検出に鋭敏な陽電子消滅法を用いて，Arクラスターイオン注入Siに導入された欠陥の評価を行いました．欠陥の深さ分布と欠陥の種類を求めました．（Jpn. J. Appl. Phys. 49,051301）

　　<プラズマBイオン注入Si>
　　MOSFETの微細化に伴い，ソース/ドレイン接合の深さは表面から10nmというレベルが求められています．そこで，新たな不純物ドープ法としてプラズマドーピング法が期待されています．ドープ後には不純物を活性化させるため焼鈍が行われます．よって，焼鈍の前後でプラズマドープ層に導入される欠陥の種類に関する知見を得ることは，プラズマドープ法のプロセス開発において極めて重要です．そこで，プラズマBイオン注入SiにRTA(Rapid Thermal Annealing)を行い測定を行いました．極浅p型層中の活性なBと不活性なBに対して陽電子消滅法による解析を行い，欠陥の深さ分布と欠陥種を求めました．

・窒化物半導体の欠陥評価
　　GaN，InN，AlNといった窒化物半導体はGa，In，Alの比率を変えて混晶を作ることにより，0.65eV～6.2eVの広い範囲でバンドギャップを制御することが可能です．これにより幅広い波長での発光・受光デバイスを作製することができます．現在，様々な発光デバイス（LED等）の材料として利用されています．光の吸収効率が高いことから次世代の高効率太陽電池の材料としても期待されています．また，物理的にも化学的にも安定，電子の飽和速度が高い，熱伝導率が高いなどの多くの利点から幅広いデバイスへの応用が期待されています．
　　一方で，構成元素に蒸気圧の高い窒素を含んでいることや結晶成長の基板と結晶の格子不整合率が大きいことから，点欠陥が多く含まれていると考えられます．点欠陥は結晶の電気的特性に大きな影響を与えますし，発光・光吸収を抑制する可能性もあります．そのため，点欠陥の制御はデバイス性能・信頼性の向上に必須の課題となっています．点欠陥の振る舞いについては不明な点が多くあります．
　　そこで，陽電子消滅法を用いて窒化物半導体中の空孔型欠陥の評価を行い，導入された欠陥の種々の振る舞いについて情報を求めました．(J. Appl. Phys. 111, 013512 他)

　上記以外にも各種化合物半導体，絶縁膜(low-k，high-k)，金属薄膜等の測定を行っています．(詳細はPaperをご覧ください．)