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 研究目的
 初めに
窒化ガリウム（GaN），窒化アルミニウム（AlN），窒化インジウム（InN）
に代表される窒化物半導体は，その優れた物理的特徴から，青色・緑色発光ダイオード（LED），
白色光源，青紫色レーザ（LD）などを次々と実現し，短期間のうちに実用化を成し遂げ，
社会の発展に大きく寄与してきた．しかし，窒化物半導体のもつ材料本来の能力（ポテンシャル）
からすれば，これまで開発された技術の範囲は，そのほんの一部でしかない．本領域においては，
材料，物性，デバイスの全ての階層での全波長領域（紫外域～赤外域）にわたる横断的研究に取り
組むことによって，「新規結晶成長技術の開発」と「欠陥物理と発光機構、不純物活性化機構の解明」
に基づいて，窒化物半導体が本来持つ優れた潜在能力を極限（内部量子効率100％）まで引き出し，
その適用波長領域の限界を外縁に広げる（200 nm～2 m）ことを目指す．
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計画研究
点欠陥に着目して非輻射再結合過程を明らかにすることにより，
AlGaInN半導体材料の発光効率を深紫外および赤・赤外で飛躍に上昇させるプロセス
を提案することを目的とする．具体的には，陽電子消滅と高精度時間分解PL測定方等
の光学特性評価を組み合わせた評価によりAlGaInNの発光効率を支配する輻射・非輻射
再結合寿命を定量化し，非輻射再結合中心である点欠陥（空孔型欠陥や格子間型欠陥）
の密度と種類との相関を明らかにする．さらに，第一原理計算を用いて各種欠陥の原子・電子構造や
表面・界面のバンド構造等について知見を得て，実験および理論の両面から
広い波長域における高効率発光特性対策を提案する．
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